西安快速熔断器用在什么地方？其结构如何？

西安快速熔断器用以保护半导体元器件．通常．各种半导体元器件的过载能力极差，它们在过载条件下只能在极短时间（数毫秒至数十毫秒）内承载过电流。若任其工作干过载或短路条件下，则其pn结的温度将急剧上升，以致半导体元器件迅速被烧毁。然而，一般熔断器的熔断时间是以秒（s）计的．所以不能保护半导体元器件．只有在过载时能迅速熔断的快速熔断器方能为它们提供保护。

为了给半导体元器件提供有效的过载和短路保护．对快速熔断器有三项主要要求：

（Ｊ）应当有非常陡的保护特性。

（２）它的允通能量(I2t）必须小干半导体元器件的通能量。

（ｇ）它熔断时产生的过电压应尽可能地小．以免半体元器件遭到击穿性损坏。

西安快速熔断器的结构与有填料封闭管式熔断器的基本一致，但熔体材料和形状不同，它是以银片冲制的有Ｖ形深槽的变截面熔体。与铜质熔体比较．银片熔断前的fi2dt小．有利限制短路电流，减少熔断时的电弧能量积降低过电压，而在同一较小熔断电流下．银质熔体的气化体积较小．这又有利干灭弧。至于开Ｖ形深槽则是为Ｔ得到非常窄的细部，便之在过载时极易熔断．从而达到快速熔断的目的。另外，沿纵向还设有多个断口以适应灭弧的需要。

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